基于LAPS的銅離子薄膜傳感器研究

全部作者： 胡衛(wèi)軍 第1作者單位： Computer Science and Information Engineering College, Chongqing Technology and Business University 論文摘要： 采用Cu2+選擇電極的硫?qū)俨Ａ�敏感材料，結(jié)合脈沖激光沉積技術(shù)與光尋址電位傳感器的特點(diǎn),在光尋址電位傳感器表面上沉積了對(duì)Cu2+敏感的薄膜材料，研制了1種新型Cu2+選擇薄膜傳感器。該傳感器基底為n型單晶硅片，金屬接觸層為Cr/Au。通過實(shí)驗(yàn)可以得出該傳感器的檢出下限為 1.15×10-7 mol/L，響應(yīng)時(shí)間小于2 min,適用溶液pH范圍 4～7，具有測(cè)量快速靈活，所需樣品少，測(cè)量下限低等特點(diǎn)。此外，由于采用交流的光激發(fā)電流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量，所以相對(duì)于離子選擇電極其靈敏度得到了提高。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了該薄膜微型傳感器是測(cè)量金屬離子濃度1種新的有效器件。 關(guān)鍵詞： Cu2+敏感薄膜傳感器；光尋址電位傳感器；脈沖激光沉積 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年11月22日 同行評(píng)議：

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